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東京農工大などが、窒化ガリウムの結晶製造装置を開発

低コストでの製造を可能に

2019年11月15日、大陽日酸株式会社と東京農工大学は共同で、三塩化ガリウム-アンモニア反応系により、高速、高品質、連続成長を実現するGaN結晶製造装置の開発に成功した。
これにより、安価で高品質なバルク結晶の大量生産が可能になり、GaNデバイス開発が進むと期待される

青色LEDの材料として知られる

窒化ガリウム結晶は、青色発光ダイオード(LED)の材料として知られているものである。
現在は、ハイドライド気相成長法で製造されているが、高コストと複数の結晶を順番に成長させる際の結晶と結晶の界面が平坦になりにくいデメリットがあることから、実用的なGaN結晶を製造することができなかった。
今回開発した手法によりこの問題を解決したため、安価で大量生産が可能となったわけである。

省エネのキーマテリアルとして注目される

窒化ガリウムは、良質な半導体材料としての利用が検討されているが、スイッチング動作が高速であり高耐圧大電流耐性が高いことからも、現在のシリコン結晶にかわるパワーデバイス材料として注目が集まっている。
省エネ効果も期待できるため、高周波デバイス、高耐圧デバイスへの展開が期待される。
(画像はプレスリリースより)

▼外部リンク

東京農工大学
http://www.tuat.ac.jp/

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