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東京工業大学などが、新しい技術を用いた情報メモリ素子を開発

全固体リチウム電池の技術を応用

2019年11月21日東京工業大学物質理工学院と東京大学大学院工学系研究科は共同で、新しい技術を用いた情報メモリ素子の開発に成功した。
この技術は、全固体リチウム電池の薄膜積層構造を応用し、超低消費エネルギーと多値記録を実現したものである。
この開発により、半導体素子の消費エネルギー低減につながるものと考えられる。

電池電圧をデジタルに置き換える

多くの半導体メモリは、電荷を蓄えたり放電したりすることで情報を記録するものであるが、大きな電力を必要とする。
これに対し、今回開発した技術は、リチウムを材料とした全固体リチウム電池を応用したものである。
この電池に充電することで電圧が上昇するが、充電された状態をデジタルの”1″に。
放電し電圧が下がった状態を”0″とすることでデジタル信号とみなすことができる。
全固体電池のように容量が小さいことで、電圧の上昇下降が速やかであるため、メモリ素子としての応用が可能となった。

3値記録メモリとして

この全固体リチウム電池を応用したメモリは、電力消費が非常に少なくて済むことが特徴となっている。
具体的には、現在パソコンなどに使用されているDRAMの約50分の1であることからも非常に小さいことが分かる。
なお、このメモリ素子は”1″と”0″の2種類の電圧に加え、もう1種類の電圧状態を記録できることが分かっており、記録情報のさらなる高密度化を実現できる可能性を秘めている。
(画像はプレスリリースより)

▼外部リンク

東京工業大学
https://www.titech.ac.jp/news/2019/045667.html

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