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ローム世界初 SiC MOS内蔵AC/DCコンバータIC開発

SiC MOSFET内蔵は世界初の取り組み

2019年4月12日、ローム株式会社は自社のホームページで大電力の産業機器に向けて、SiC MOSFET内蔵AC/DCコンバータICである「BM2SCQ12xT-LBZ」を開発したと発表した。

SiCは、SiC(シリコンカーバイド)はシリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料を指す。

BM2SCQ12xT-LBZは、交流400Vを直流5V~48Vにコンバート行うことで、工場などの大電力を取り扱う、ロボット、製造装置のファクトリーオートメーション機器や産業用エアコン、街路灯などの直流電源として利用が可能だ。

絶縁破壊電界強度がSiの10倍の強度があり、バンドギャップ(電気伝導できない領域)がSiの3倍と優れ、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されている。

また、交流400Vの高耐圧領域においては、従来のSiと比較してICがAC/DC変換する際に内部回路で発生するスイッチング損失、スイッチングが導通するときの導通損失が少ないことも特徴だ。

一般的なSi-MOSFETと比較しても、最大で5%の高効率化を実現する。(2018年4月ローム調べ)

ユーザーのメリットは大きい

BM2SCQ12xT-LBZを、ユーザーの回路に採用するメリットは大きい。理由は、ICの内部回路で使用する12部品と放熱板を1つのパッケージにすることで、部品点数削減を実現している。

その結果、ユーザー側には、発熱対策の部品を減らすことや熱設計にかける時間の短縮が可能だ。

SiC MOSFETが、高耐圧で高電圧ノイズに強いため、ユーザー側も、回路を設計する際に周辺のノイズ対策部品の小型化が可能だ。

今後もロームは、SiCデバイスなどのパワー系半導体のICを開発し、産業・システム機器の省電力化に取り組む考えだ。

(画像はローム株式会社ホームページより)

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SiC MOS内蔵AC/DCコンバータICを開発「BM2SCQ12xT-LBZ」

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