EUV lithography技術とは
EUV lithography技術は半導体産業の最前線で活躍を始めています。
EUV機器メーカーのASMLによると、2022年末までに製造ライン向けのシステムを納入する予定だとのことです。
EUVはもともと最深層の回路設計を実現するために開発されました。激走する半導体産業は設計ルールの縮小に追われており、既存の光 lithographyでは物理的限界に近づきつつありました。EUVは波長が短い13.5nmの極端紫外線を利用し、より微細なパターンの転写を可能にします。
しかしながら、EUVの実用化は多大な困難を伴いました。EUV源としてはコバルトプラズマから13.5nm波長の光を取り出す必要がありますが、強度が十分でなかったため開発が遅れました。加えてEUV光を利用した装置自体も複雑を極め、高価な開発コストが投じられてきました。
現在では先端プロセスの28nmノードから、EUV装置が製造ラインに導入され始めています。半導体メーカー各社はEUVの性能向上と生産性確保に努めており、2022年以降は5nmプロセスから多くの機器がEUV化すると期待されています。一方で、高コスト体質の解消や新素材開発も課題となっています。半導体産業の進歩はEUVの成長を左右する重要なカギを握っています。
以上がEUV技術の可能性と現状、課題についての記事となります。ご意見等があれば教えてください。
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